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立洋股份:大功率LED光源封装技术及结构形式解析

发表时间:2016-09-27   责任编辑:深圳市立洋光电子股份有限公司    0

  随着LED商业照明及家居照明渗透率的快速提升,持续带动市场需求正向成长。封装形式也开始逐渐走向制式化。目前照明市场上LED主流的封装方式主要由PPA或PCT封装的中小功率产品、EMC封装的中大功率和传统的陶瓷封装大功率LED以及COB封装构成。


  大功率LED封装作为产业链中承上启下的重要一环,是推进半导体照明和显示走向实用化的核心制造技术。只有通过开发低热阻、高光效和高可靠性的LED封装和制造技术,对LED芯片进行良好的机械和电气保护,减少机械、电、热、湿和其他外部因素对芯片性能的影响,保障LED芯片稳定可靠的工作,才能提供高效持续的高性能照明和显示效果,实现LED所特有的节能长寿优势,促进整个半导体照明和显示产业链良性发展。


  封装工艺技术对LED性能起着至关重要的作用。LED封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。随着功率的增大,特别是固态照明技术发展的需求,对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效地降低封装热阻,提高出光效率,必须采用全新的技术思路来进行封装设计。从工艺兼容性及降低生产成本的角度看,LED封装设计应与芯片设计同时进行,即芯片设计时就应该考虑到封装结构和工艺。目前功率LED封装结构的主要发展趋势是:尺寸小型化、器件热阻最小化、平面贴片化、耐受结温最高化、单灯光通量最大化;目标是提高光通量、光效,减少光衰、失效率,提高一致性和可靠性。如目前立洋股份的倒装EMC系列产品FE35最高功率可达3W,光通量400lm,实现了小发光面高流明输出。具体而言,大功率LED封装的关键技术主要包括:热散技术、光学设计技术、结构设计技术、荧光粉涂覆技术、共晶焊技术等。


  1、散热技术


  一般的LED节点温度则不能超过120℃,因此LED器件的热辐射效应基本可以忽略不计,热传导和对流是LED散热的主要方式。在散热设计时先从热传导方面考虑,因为热量首先从LED封装模块中传导到散热器。所以粘结材料、基板是LED散热技术的关键环节。


  粘结材料主要包括导热胶、导电银浆和合金焊料三种主要方式。导热胶是在基体内部加入一些高导热系数的填料,如SiC、A1N、A12O3、SiO2等,从而提高其导热;导电银浆是将银粉加入环氧树脂中形成的一种复合材料,粘贴的硬化温度一般低于200℃,具有良好的导热特性、粘结性能可靠等优点,但银浆对光的吸收比较大,导致光效下降。


  基板主要包括陶瓷基板、金属合成基板和复合基板三种主要方式。陶瓷基板主要是LTCC基板和AIN基板。LTCC基板具有易于成型、工艺简单、成本低而且容易制成多种形状等诸多优点;Al和Cu都是LED封装基板的优良材料,由于金属材料的导电性,为使其表面绝缘,往往需通过阳极氧化处理,使其表面形成薄的绝缘层。金属基复合材料主要有Cu基复合材料、Al基复合材料。目前立洋股份第二代COB产品主要采用的镜面铝基板和铜基板,如4046镜面铝系列光效可达175lm/w。


  另外,封装界面对热阻影响也很大,改善LED封装的关键在于减少界面和界面接触热阻,增强散热。因此,芯片和散热基板间的热界面材料选择十分重要。采用低温或共晶焊料、焊膏或者内掺纳米颗粒的导电胶作为热界面材料,可大大降低界面热阻。


  2、光学设计技术


  LED封装的光学设计包括内光学设计和外光学设计。


  内光学设计的关键在于灌封胶的选择与应用。在灌封胶的选择上,要求其透光率高、折射率高、热稳定性好、流动性好、易于喷涂。为提高LED封装的可靠性,还要求灌封胶具有低吸湿性、低应力、耐温环保等特性。目前常用的灌封胶包括环氧树脂和硅胶。其中,硅胶由于具有透光率高(可见光范围内透光率大于99%)、折射率高(1.4~1.5)、热稳定性好(能耐受200℃高温)、应力低(杨氏模量低)、吸湿性低(小于0.2%)等特点,明显优于环氧树脂,在大功率LED封装中得到广泛应用。


  外光学设计是指对出射光束进行会聚、整形,以形成光强均匀分布的光场。主要包括反射聚光杯设计(一次光学)和整形透镜设计(二次光学),对阵列模块而言,还包括芯片阵列的分布等。透镜常用的形状有凸透镜、凹透镜、球镜、菲涅尔透镜、组合式透镜等,透镜与大功率LED的装配方法可采用气密性封装和半气密性封装。立洋股份专利moding技术可一次性提升10-15%出光率,同时易于二次配光。


  3、LED封装结构形式


  LED封装技术和结构先后拥有了引脚式、功率型封装、贴片式(SMD)、板上芯片直装式(COB)四个阶段。


  (1)引脚式(Lamp)LED封装


  LED脚式封装采用引线架作各种封装外型的引脚,是最先研发成功投放市场的封装结构,品种数量繁多,技术成熟度较高,封装内结构与反射层仍在不断改进。常用3~5mm封装结构,一般用于电流较小(20~30mA),功率较低(小于0.1W)的LED封装。主要用于仪表显示或指示,大规模集成时也可作为显示屏。其缺点在于封装热阻较大(一般高于100K/W),寿命较短。


  (2)功率型LED封装


  LED芯片及封装向大功率方向发展,在大电流下产生比Φ5mmLED大10~20倍的光通量,必须采用有效的散热与不劣化的封装材料解决光衰问题,因此,管壳及封装也是其关键技术,能承受数W功率的LED封装已出现。5W系列白、绿、蓝绿、蓝的功率型LED从2003年初开始供货,白光LED光输出达1871m,光效44.31 lm/W绿光衰问题,开发出可承受10W功率的LED,大面积管;尺寸为2.5mm X2.5mm,可在5A电流下工作,光输出达2001 lm,作为固体照明光源有很大发展空间。


  (3)表面组装(贴片)式(SMD)LED封装


  早在2002年,表面贴装封装的LED(SMDLED)逐渐被市场所接受,并获得一定的市场份额从引脚式封装转向SMD符合整个电子行业发展大趋势,很多生产厂商推出此类产品。


  SMDLED是目前LED市场占有率最高的封装结构,这种LED封装结构利用注塑工艺将金属引线框架包裹在PPA塑料之中,并形成特定形状的反射杯,金属引线框架从反射杯底部延伸至器件侧面,通过向外平展或向内折弯形成器件管脚。


  (4)COB-LED封装


  COB封装可将多颗芯片直接封装在金属基印刷电路板MCPCB,通过基板直接散热,不仅能减少支架的制造工艺及其成本,还具有减少热阻的散热优势。PCB板可以是低成本的FR-4材料(玻璃纤维增强的环氧树脂),也可以是高热导的金属基或陶瓷基复合材料(如铝基板或覆铜陶瓷基板等)。而引线键合可采用高温下的热超声键合(金丝球焊)和常温下的超声波键合(铝劈刀焊接)。COB技术主要用于大功率多芯片阵列的LED封装,同SMD相比,不仅大大提高了封装功率密度,而且降低了封装热阻(一般为6-12W/m稫)。


  从成本和应用角度来看,COB将成为未来灯具化设计的主流方向。COB封装的LED模块在底板上安装了多枚LED芯片,使用多枚芯片不仅能够提高亮度,还有助于实现LED芯片的合理配置,降低单个LED芯片的输人电流量以确保高效率。


  总之,无论是单器件封装还是模组化COB封装,从小功率到大功率,LED封装结构的设计均围绕着如何降低器件热阻,改善出光效果以及提高可靠性而展开的。


  4、荧光粉涂覆技术


  光转化结构,即荧光粉涂层结构,主要面向LED白光照明技术,目的是为将LED芯片发出的波长较短的光线转化为与之互补(颜色互补形成白光)的波长较长的光线。


  5、共晶焊技术


  共晶焊技术是大功率LED倒装芯片封装工艺中最为关健的核心技术之一。共晶焊技术在LED封装过程中最为核心的散热问题与固晶问题的优点,正在并将会成为未来LED封装发展的主流方向。共晶合金具有比纯组元熔点低,熔化工艺简单;共晶合金比纯金属有更好的流动性,在凝固中可防止阻碍液体流动的枝晶形成,从而改善了铸造性能;共晶合金还具有恒温转变特性(无凝固温度范围),可以减少铸造缺陷,如偏聚和缩孔;固化后的共晶合金韧性强(接近金属的韧性),不宜断裂;共晶凝固可获得多种形态的显微组织,尤其是规则排列的层状或杆状共晶组织,可成为优异性能的原位复合材料。正是由于共晶具有如此多的优势,所以使用共晶工艺制作出的LED封装会具有降低阻抗和提升热传导效率的优势。


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